奕斯偉提供高品質的集成電路用硅單晶拋光片和外延片，廣泛應用于電子通訊、汽車制造、人工智能、消費電子等領域。
針對集成電路先進微納制程對硅片的需求，奕斯偉優選先進設備和工藝，結合最高等級潔凈間設計和生產管控，制造無位錯、無原生缺陷、超平坦和優良納米形貌的12英寸硅片。目前，奕斯偉在西安擁有一座硅產業基地，設計產能50萬片/月。產品主要為14nm及以下集成電路先進制程使用的硅單晶拋光片及外延片，適用領域包括邏輯芯片（Logic）、閃存芯片（3D NAND & Nor Flash）、動態隨機存儲芯片（DRAM）、圖像傳感器（CIS）、顯示驅動芯片（Display Driver IC）等。
單晶硅棒經過切割、研磨、化學機械拋光及清洗后得到具有鏡狀表面的硅片通常被稱為硅拋光片。
工藝：將高純多晶硅放入石英坩堝，加熱至1400℃以上，融化成硅熔液，再把籽晶浸入硅熔液，經過引晶、放肩、轉肩、等徑生長、收尾等步驟，完成一根單晶硅棒的拉制。在單晶硅棒產出后，將晶棒切割成300~400毫米長的硅塊，之后采用線切割得到厚度約1毫米的薄片，再對其進行拋光、清洗加工，得到高品質的拋光片。
應用領域：12英寸拋光片廣泛用于NAND閃存芯片和DRAM內存芯片等。
在硅拋光片襯底上，通過外延生長形成具有單晶薄膜的硅片通常被稱為外延片。
工藝：應用化學氣相沉積技術，在拋光片上外延出整齊排列的高品質單晶。
應用領域：12英寸外延片廣泛用于CPU/GPU等邏輯芯片、MOSFET/IGBT等功率器件、圖像傳感器等。
